Триметилиндий (TMIn)
- от объёма, заполните заявку
Триметилиндий (TMIn, In(CH3)3) — металлоорганическое соединение индия, являющееся основным источником индия в технологии МОС-гидридной эпитаксии (MOCVD/MOVPE). В отличие от большинства других МОС-прекурсоров III группы, триметилиндий при комнатной температуре представляет собой белое кристаллическое твёрдое вещество с температурой плавления 88 °C. Вещество пирофорно — самовоспламеняется при контакте с воздухом. TMIn применяется для эпитаксиального осаждения индийсодержащих полупроводниковых соединений: InP, InGaAs, InGaN, InGaP и других структур III–V групп, востребованных в оптоэлектронике, телекоммуникациях и фотовольтаике.

Физико-химические свойства триметилиндия
Триметилиндий — мономерное соединение в газовой фазе с тригональной плоской структурой молекулы, аналогичной триметилгаллию (TMGa). В твёрдом состоянии TMIn существует в двух полиморфных модификациях — тетрагональной и ромбоэдрической. В растворе бензола образует тетрамерные ассоциаты. Как льюисова кислота триметилиндий слабее TMGa и TMAl, что связано с большим радиусом атома индия и меньшей электроотрицательностью.
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Химическая формула | In(CH3)3 |
| Номер CAS | 3385-78-2 |
| Молекулярная масса | 159,93 г/моль |
| Температура плавления | 88 °C |
| Температура кипения | 133,8 °C (с разложением) |
| Плотность (кристалл) | 1,568 г/см³ |
| Агрегатное состояние (20 °C) | Белый кристаллический порошок |
| Пирофорность | Самовоспламеняется на воздухе |
| Термическая стабильность | Стабилен в инертной атмосфере; разлагается при нагреве выше 140 °C |
| Растворимость | Растворим в ароматических углеводородах; бурно реагирует с водой |
Давление паров триметилиндия
Давление насыщенных паров — критический параметр для дозирования прекурсора в MOCVD-реакторе. Для TMIn в литературе приводятся несколько уравнений, различающихся между собой на 20–40%. Наиболее распространённое (по данным динамических измерений):
log P(Торр) = 10,98 − 3204 / T(K)
Ввиду того, что TMIn — твёрдое вещество при комнатной температуре, его давление паров значительно ниже, чем у жидких прекурсоров (TMGa, TMAl). Это создаёт особые требования к системе подачи.
| Температура | Давление паров, Торр |
|---|---|
| 17 °C (290,15 K) | ≈ 1,3 |
| 25 °C (298,15 K) | ≈ 1,7 |
| 30 °C (303,15 K) | ≈ 2,5 |
| 40 °C (313,15 K) | ≈ 5,2 |
| 50 °C (323,15 K) | ≈ 10,3 |
Для обеспечения достаточного потока прекурсора баллон-бабблер с TMIn обычно нагревают до 25–45 °C с помощью термостатируемой бани. При этом критически важна равномерность нагрева по всему объёму порошка — локальные перегревы приводят к нестабильной подаче и неоднородности состава выращиваемых слоёв. Изменение температуры бабблера даже на 0,5 °C может существенно повлиять на состав эпитаксиального слоя.
Применение триметилиндия в MOCVD-технологии
Триметилиндий является предпочтительным прекурсором индия для MOVPE/MOCVD. В реакторной камере при температурах 400–800 °C происходит пиролиз TMIn с выделением элементарного индия, который встраивается в растущую кристаллическую решётку полупроводника.
| Материал | Со-прекурсоры | Область применения |
|---|---|---|
| InP (фосфид индия) | PH3 | Волоконно-оптические системы, высокочастотная электроника |
| InGaAs (арсенид индия-галлия) | TMGa + AsH3 | ИК-фотодетекторы, HEMT-транзисторы, лазеры 1,3–1,55 мкм |
| InGaN (нитрид индия-галлия) | TMGa + NH3 | Светодиоды синего и зелёного свечения, многопереходные солнечные элементы |
| InGaP (фосфид индия-галлия) | TMGa + PH3 | HBT-транзисторы, оконные слои солнечных элементов |
| InAlAs (арсенид индия-алюминия) | TMAl + AsH3 | Барьерные слои в HEMT-структурах |
| In2Se3 (селенид индия) | H2Se | Перспективный 2D-материал, фотодетекторы, ферроэлектрики |
Особенности подачи TMIn в MOCVD-реактор
В отличие от жидких прекурсоров (TMGa, TMAl, DEZn), которые подаются через барботёр методом насыщения газа-носителя, подача твёрдого TMIn сопряжена с рядом технологических трудностей:
Неоднородность сублимации. Газ-носитель (H2 или N2) проходит через слой порошка TMIn, но насыщение паром может быть неполным из-за каналообразования в порошке и неравномерного прогрева.
Остаточный материал. При эксплуатации баллона до ~10% TMIn остаётся неизрасходованным из-за агломерации порошка и неэффективной сублимации из нижних слоёв.
Контроль концентрации. Для стабильной подачи всё чаще применяются системы контроля концентрации паров (Vapor Concentration Controller, VCC) вместо традиционного контроля только по давлению и расходу газа-носителя. Такие системы отслеживают реальную концентрацию TMIn в газовом потоке и корректируют параметры подачи в реальном времени.
Требования к чистоте триметилиндия
Качество индийсодержащих эпитаксиальных структур критически зависит от чистоты прекурсора. Основные примесные элементы, контролируемые в TMIn: кремний, кислород, углерод, сера, железо, медь, цинк. Содержание примесей определяется методами ICP-MS (масс-спектрометрия с индуктивно-связанной плазмой) и GDMS (масс-спектрометрия тлеющего разряда).
Значительный прогресс в очистке TMIn был достигнут с внедрением «безэфирной» (ether-free) технологии синтеза, исключающей использование диэтилового эфира в качестве растворителя. Это позволило существенно снизить содержание кислородных примесей, критичных для оптоэлектронных структур.
| Класс чистоты | Обозначение | Назначение |
|---|---|---|
| ≥ 99,998% (4N8) | Electronic Grade (EG) | Промышленное MOCVD-осаждение InGaAs, InP |
| ≥ 99,9995% (5N5) | Opto Electronic Grade (OEG) | Оптоэлектронные структуры высших требований |
| ≥ 99,9999% (6N) | VCSEL / CPV Grade | Прецизионные многопереходные фотоэлементы, VCSEL |
Важно отметить, что физические свойства TMIn (температура плавления, давление паров) зависят от чистоты продукта. Улучшение чистоты TMIn привело к пересмотру справочных значений давления паров, ранее определённых на менее чистых образцах.
Упаковка и условия хранения TMIn
Триметилиндий поставляется в стальных баллонах (бабблерах) с электрополированной внутренней поверхностью, оснащённых мембранными клапанами с металлическими уплотнениями (VCR). Порошкообразный TMIn загружен в баллон под инертной атмосферой (аргон или азот).
Стандартные фасовки варьируются от нескольких десятков граммов (лабораторные объёмы) до нескольких килограммов (промышленные MOCVD-установки).
Условия хранения: герметично закрытый баллон под инертным газом, при температуре не выше 25 °C. Нагрев выше 80 °C недопустим — при 88 °C вещество плавится, что может нарушить однородность подачи при последующем использовании. Нагрев выше 140 °C приводит к термическому разложению.
Транспортировка — в соответствии с правилами перевозки пирофорных твёрдых веществ: UN 3394, класс 4.2 (вещества, способные к самовозгоранию), группа упаковки I.
Безопасность при работе с триметилиндием
Пирофорность. TMIn самовоспламеняется при контакте с воздухом. Продукты горения — оксид индия (In2O3), CO, CO2, формальдегид. Оксид индия представляет собой мелкодисперсную пыль, раздражающую дыхательные пути, слизистые оболочки глаз и кожу. Тушение допускается только сухими порошковыми средствами, песком или известью. Применение воды и углекислотных огнетушителей запрещено.
Реакция с водой. При контакте с водой или влажным воздухом происходит бурная экзотермическая реакция с выделением метана и возможным воспламенением.
Токсичность. Соединения индия не внесены в списки канцерогенов IARC, NTP и OSHA Subpart Z. Тем не менее прямой контакт вызывает химические ожоги кожи и глаз, а вдыхание продуктов горения раздражает дыхательные пути. Работа допускается только в полностью герметичных системах, в инертной атмосфере, с использованием СИЗ и приточно-вытяжной вентиляции с системами детекции утечек.
Триметилиндий в сравнении с триэтилиндием (TEIn)
Триэтилиндий (TEIn, In(C2H5)3) — альтернативный прекурсор индия для MOCVD. В отличие от твёрдого TMIn, TEIn является жидкостью при комнатной температуре (т. пл. −32 °C), что упрощает дозирование. Однако TEIn значительно менее доступен на рынке и используется главным образом в исследовательских целях.
| Параметр | TMIn — In(CH3)3 | TEIn — In(C2H5)3 |
|---|---|---|
| Молекулярная масса | 159,93 г/моль | 202,01 г/моль |
| Агрегатное состояние (20 °C) | Белый кристаллический порошок | Бесцветная жидкость |
| Температура плавления | 88 °C | −32 °C |
| Температура кипения | 133,8 °C | 184 °C |
| Основное применение | Промышленный MOCVD (InGaAs, InGaN, InP) | Исследовательский MOCVD, ALD |
| Коммерческая доступность | Широко доступен | Ограничена |
TMIn остаётся стандартным промышленным прекурсором индия благодаря отработанной технологии синтеза и очистки, широкой коммерческой доступности и предсказуемому поведению в MOCVD-процессах.
Формы поставки триметилиндия
Триметилиндий доступен к поставке в стальных баллонах-бабблерах с электрополированной внутренней поверхностью, заполненных инертным газом. Типовые объёмы от 50 г до нескольких килограммов. Каждая партия сопровождается сертификатом анализа (Certificate of Analysis, CoA) с данными о чистоте по основному веществу и содержании примесных элементов. По запросу предоставляются паспорт безопасности (SDS) и сертификат соответствия.
Подробнее о других материалах на основе индия — на соответствующей странице сайта.
Марки металлов и сплавов в ассортименте
SG-Cu · ФХС20Р · 8011А · J467 (S590) · C72600 · Stoody 41 · BEKINOX E35 · 5598 · SB 338 Grade 17 · 5205 · CuP 181 · CoNiCr 26-20 · SF A5.8 (BCuP-6) · В95Б · 28S · CuNi19 · B 30 (C 93700)