Русский металл

Аноды, графит, сплав, припой — порошок, проволока, прут и др. Москва, Бойцовая, 22 +7 (495) 505-20-82
Просто. Надежно. Быстро.

Аноды, металл

Арсенид галлия-индия

Цена: договорная
- от объёма, заполните заявку
RUB

Свяжитесь с нашими менеджерами, чтобы заказать высококачественный арсенид галлия-индия!

gaasin 300x162 - Арсенид галлия-индияАрсенид галлия-индия называют так же индия-галлия арсенидом, арсенидом индия-галлия, галлия индия арсенидом, индия галлия арсенидом. Это комбинация мышьяка с изменяющимся составом, чаще всего пишется GaxIn1-xAs (иногда как GaInAs, если в контексте идет речь о веществе, меняющем состав). Х может принимать любое значение от 0 до 1. Если х=0, это InAs (арсенид индия), если х=1, это GaAs (арсенид галлия). Самым популярным является вариант Ga0,47In0,53As, являющийся полупроводником, отличающимся очень высокой подвижностью частиц, переносящих заряд.

Методы производства

В процессе производства учитываются требования ТУ 48-4-276-73, 48-4-420-8048-4-420-92. По окончании технологического процесса (наращивания одного материала на другой) получается эпитаксиальная пленка с заданным значением х.

Для изготовления применяется один из трех методов эпитаксии:

  • газофазной;
  • молекулярно-пучковой;
  • молекулярно-лучевой.

При первом варианте используется смесь арсина, триметилгаллия, триметилиндия, х регулируется изменением их концентрации. При втором варианте на фосфид индия в сверхвысоком вакууме осаждаются молекулы галлия, индия и мышьяка. Основным недостатком можно считать замедленный рост пленки. Отличие третьего варианта — замена подложки из фосфида индия на диск из GaAs или кремния.

Физическо-химические свойства

GaInAs — серые или черные кристаллы с температурой плавления, зависящей от состава (значения х):

  • 942оС для InAs;
  • 1240оС для GaAs;
  • 1100оС для Ga0,47In0,53As.

GaInAs инертный, при реакции с водой или кислотой образуется арсин и гидрооксиды (соли). Можно окислить для получения трехвалентных окислов различных металлов или оксида мышьяка, чистого мышьяка.

Оптические и полупроводниковые качества тоже зависят от комбинации (объема индия и галлия).

Токсичность

При работе с GaInAs необходимо учесть, что его пыль раздражает слизистую глаз, кожный покров, легкие. Во время реакции с водой образуется арсин (очень ядовитый газ). На производстве нельзя допустить вдыхание работниками арсина и фосфидов. Они препятствуют поглощению кровью кислорода, при превышении критической нормы возможен летальный исход. Работники должны быть оснащены спецодеждой, дыхательными аппаратами, в помещении обязательна установка системы, определяющей объем газов в воздухе.

Применение

GaInAs используют предприятия, выпускающие инфракрасные излучатели, электронику с высокой частотой, оптические приемники, полупроводниковые лазеры. Возможность менять комбинацию элементов позволяет регулировать чувствительность приема и длину излучаемых волн.

Дополнительно