Антимонид индия
- от объёма, заполните заявку
Запрашивайте по e-mail.
Антимонид индия (InSb) — бинарное неорганическое соединение индия и сурьмы, относящееся к классу полупроводников AIIIBV. Химическая формула InSb, молярная масса 236,58 г/моль. 
Кристаллическая структура антимонида индия
InSb кристаллизуется в кубической решётке типа сфалерита (цинковой обманки), пространственная группа F4̄3m. Постоянная решётки при 300 K составляет 0,6479 нм — это наибольшее значение среди всех полупроводников AIIIBV. Число формульных единиц в элементарной ячейке z = 4. Каждый атом индия окружён четырьмя атомами сурьмы в тетраэдрической координации и наоборот.
Физические свойства InSb
Антимонид индия имеет наименьшую температуру плавления среди соединений AIIIBV. Ниже приведены основные физические характеристики, подтверждённые энциклопедическими источниками.
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Температура плавления | 525 °C (800 K) |
| Плотность (твёрдое состояние) | 5,775 г/см³ |
| Плотность (расплав, 550 °C) | 6,43 г/см³ |
| Постоянная решётки (300 K) | 0,6479 нм |
| Тип кристаллической решётки | Сфалерит (цинковая обманка), F4̄3m |
| Молярная масса | 236,58 г/моль |
| Коэффициент термического расширения | 5,04 × 10−6 K−1 |
| Твёрдость по шкале Мооса | 3,8 |
Материал устойчив на воздухе и в парах воды при температурах до примерно 300 °C. Окисление на воздухе начинается при температуре выше 500 °C. При нагреве выше температуры плавления (525 °C) и особенно при значительных перегревах InSb разлагается с выделением паров сурьмы и её оксидов.
Электрофизические и оптические свойства
Антимонид индия — узкозонный полупроводник с прямой запрещённой зоной. Ширина запрещённой зоны InSb является наименьшей среди соединений группы AIIIBV.
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Ширина запрещённой зоны (0 K) | 0,24 эВ |
| Ширина запрещённой зоны (298 K) | 0,18 эВ |
| Подвижность электронов (300 K, нелегированный) | ≈ 78 000 см²/(В·с) |
| Эффективная масса электронов | 0,013 m₀ |
| Эффективная масса дырок | 0,42 m₀ |
| Диэлектрическая проницаемость (низкочастотная) | 17,7 |
| Спектральный диапазон чувствительности | 1–5 мкм (средний ИК-диапазон) |
Нелегированный антимонид индия обладает самой высокой подвижностью электронов при комнатной температуре (около 78 000 см²/(В·с)) среди всех известных полупроводниковых соединений. Эта величина обусловлена малой эффективной массой электронов проводимости (0,013 m₀). Баллистическая длина свободного пробега электронов достигает 0,7 мкм при 300 K.
Из-за узкой запрещённой зоны уже при температурах ниже комнатной электропроводность InSb становится собственной (т. е. определяется термогенерацией электронно-дырочных пар). По этой причине InSb относится к вырожденным полупроводникам. Энергия ионизации донорных примесей (S, Se, Te) в этом материале чрезвычайно мала.
Химическая стойкость
Антимонид индия не растворяется в воде. В кислотах InSb растворяется хорошо, при этом выделяется токсичный газ стибин (SbH₃). Материал устойчив на воздухе при комнатной температуре. Окисление поверхности заметно проявляется при нагреве выше 500 °C, а при существенном перегреве начинается разложение с выделением паров сурьмы.
Применение антимонида индия
Уникальное сочетание узкой запрещённой зоны, высокой подвижности электронов и чувствительности в среднем ИК-диапазоне (1–5 мкм) определяет широкую область применения InSb в специализированной электронике и оптоэлектронике.
Инфракрасные фотоприёмники на основе InSb
Антимонид индия — один из основных материалов для фотоприёмников среднего ИК-диапазона (3–5 мкм). На его основе выпускаются фотодиоды, фоторезисторы и фотоэлектромагнитные детекторы. Созданы фотоприёмные матрицы с разрешением до 2048 × 2048 пикселей. Детекторы на InSb обладают высокой квантовой эффективностью — внутренняя квантовая эффективность близка к 100 %.
Из-за узости запрещённой зоны для достижения низких шумов детекторы на основе InSb требуют криогенного охлаждения. Рабочая температура, как правило, составляет 77 K (температура кипения жидкого азота). Альтернативными материалами для фотоприёмников этого диапазона являются CdHgTe (кадмий-ртуть-теллур) и PtSi (силицид платины).
Гальваномагнитные приборы и датчики Холла
Высокая подвижность электронов делает антимонид индия оптимальным материалом для датчиков Холла и магниторезисторов. Датчики Холла на основе InSb отличаются высокой чувствительностью к магнитному полю и используются в системах бесконтактного измерения тока, датчиках положения, преобразователях и усилителях электрической мощности.
Туннельные диоды из антимонида индия
InSb применяется для изготовления туннельных диодов. По сравнению с германиевыми аналогами, туннельные диоды из антимонида индия обладают лучшими частотными характеристиками при низких температурах.
Быстродействующие транзисторы
Слоистые гетероструктуры AlInSb/InSb используются для создания транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT), работающих в СВЧ- и миллиметровом диапазонах. Тонкий слой InSb между слоями антимонида алюминия-индия (AlInSb) образует квантовую яму, в которой достигается ещё более высокая подвижность носителей. Биполярные транзисторы на основе InSb, работающие на частотах до 85 ГГц, были реализованы в конце 1990-х годов. Полевые транзисторы, функционирующие на частотах свыше 200 ГГц, созданы позднее. Полупроводниковые приборы из InSb способны работать при напряжении питания менее 0,5 В, что позволяет снизить энергопотребление электронных устройств.
Термоэлектрические устройства и оптические фильтры
Антимонид индия находит применение в термоэлектрических генераторах и термоэлектрических охладителях (элементах Пельтье), а также при изготовлении оптических фильтров для среднего инфракрасного диапазона. Кроме того, InSb является источником терагерцевого излучения благодаря выраженному фото-Дембер эффекту.
Формы поставки антимонида индия
Антимонид индия поставляется в различных формах в зависимости от задач потребителя:
- Поликристаллический InSb — слитки или куски, используемые в качестве шихты для дальнейшего выращивания монокристаллов или для сплавления.
- Монокристаллы InSb — нелегированные или легированные (типичные легирующие примеси: Te для n-типа; Ge или Mn для p-типа). Поставляются в виде слитков и пластин (подложек) ориентации (100) или (111), диаметром от 2 дюймов (50,8 мм).
- Пластины (подложки) InSb — полированные пластины заданной кристаллографической ориентации и толщины для эпитаксиального наращивания и изготовления приборных структур.
- Порошок InSb — измельчённый материал для исследовательских и специальных технологических задач.
Среди родственных полупроводниковых материалов группы AIIIBV на нашем сайте также представлены арсенид индия (InAs) и фосфид индия (InP) — соединения с аналогичной кристаллической структурой, но иными значениями запрещённой зоны и подвижности носителей.
Сравнение InSb с другими полупроводниками AIIIBV
Для выбора подходящего полупроводникового материала полезно сопоставить ключевые параметры InSb с ближайшими аналогами.
| Параметр | InSb | InAs | InP | GaAs |
|---|---|---|---|---|
| Запрещённая зона (300 K), эВ | 0,18 | 0,35 | 1,35 | 1,42 |
| Подвижность электронов (300 K), см²/(В·с) | 78 000 | 33 000 | 5 400 | 8 500 |
| Постоянная решётки, нм | 0,6479 | 0,6058 | 0,5869 | 0,5653 |
| Температура плавления, °C | 525 | 942 | 1062 | 1238 |
Из таблицы видно, что InSb занимает крайнее положение в ряду полупроводников AIIIBV: наименьшая запрещённая зона, наибольшая подвижность электронов, наибольшая постоянная решётки и наименьшая температура плавления.
Особенности работы с антимонидом индия
Требования безопасности при работе с InSb
Сурьма и её соединения токсичны. Основную опасность при работе с антимонидом индия представляет возможность выделения стибина (SbH₃) — чрезвычайно ядовитого газа, образующегося при контакте InSb с кислотами. Стибин относится к веществам I класса опасности.
При механической обработке InSb (резка, полировка, шлифовка) образуется пыль, содержащая соединения сурьмы. Рабочие помещения должны быть оборудованы приточно-вытяжной вентиляцией. Персонал обязан использовать средства индивидуальной защиты: респираторы, защитные очки, перчатки. При высокотемпературной обработке выше 500 °C необходим контроль содержания паров сурьмы и её оксидов в воздухе рабочей зоны.
Упаковка, хранение и транспортировка
Монокристаллы и пластины антимонида индия упаковывают в полиэтиленовую плёнку, помещают в картонные коробки с прокладками из мягких материалов (вата, поролон) для защиты от механических повреждений. Коробки укладывают в деревянные ящики с бумажным настилом. Масса одного грузового места, как правило, не превышает 50 кг. При хранении следует избегать контакта с кислотами и влагой.
Условия поставки антимонида индия
Мы поставляем антимонид индия в виде поликристаллического и монокристаллического материала, пластин и порошка. Конкретные характеристики (тип легирования, ориентация, диаметр, удельное сопротивление) согласуются по запросу. Информацию о наличии, сроках поставки и условиях отгрузки предоставляет менеджер.
Сертификат, паспорт, протокол — на каждую марку
Marker G 4859 · L-Sn60Pb(Sb) · AlCu4TiMg · NiCr29Fe30Mo · B Ni 6002 · S-Sn63Pb37E · GX70Cr29 · X 4 CrNiMoNb 25-7 · SB 862 Grade 13 · AM 60 · SA 815 (S32760) · LM9 · AL-P6082 · АД0Н · Rene 77 · AlSiMg · CP 103