Просто. Надежно. Быстро.

Антимонид индия

Цена: договорная
- от объёма, заполните заявку

Запрашивайте по e-mail.

Антимонид индия (InSb) — бинарное неорганическое соединение индия и сурьмы, относящееся к классу полупроводников AIIIBV. Химическая формула InSb, молярная масса 236,58 г/моль. Антимонид индия InSb — внешний вид кристалловМатериал представляет собой тёмно-серые кристаллы с серебристым металлическим блеском. InSb обладает самой узкой запрещённой зоной и самой высокой подвижностью электронов среди всех соединений AIIIBV, что определяет его применение в инфракрасной оптоэлектронике, гальваномагнитных приборах и высокочастотной электронике.

Кристаллическая структура антимонида индия

InSb кристаллизуется в кубической решётке типа сфалерита (цинковой обманки), пространственная группа F4̄3m. Постоянная решётки при 300 K составляет 0,6479 нм — это наибольшее значение среди всех полупроводников AIIIBV. Число формульных единиц в элементарной ячейке z = 4. Каждый атом индия окружён четырьмя атомами сурьмы в тетраэдрической координации и наоборот.

Физические свойства InSb

Антимонид индия имеет наименьшую температуру плавления среди соединений AIIIBV. Ниже приведены основные физические характеристики, подтверждённые энциклопедическими источниками.

Параметр Значение
Температура плавления 525 °C (800 K)
Плотность (твёрдое состояние) 5,775 г/см³
Плотность (расплав, 550 °C) 6,43 г/см³
Постоянная решётки (300 K) 0,6479 нм
Тип кристаллической решётки Сфалерит (цинковая обманка), F4̄3m
Молярная масса 236,58 г/моль
Коэффициент термического расширения 5,04 × 10−6 K−1
Твёрдость по шкале Мооса 3,8

Материал устойчив на воздухе и в парах воды при температурах до примерно 300 °C. Окисление на воздухе начинается при температуре выше 500 °C. При нагреве выше температуры плавления (525 °C) и особенно при значительных перегревах InSb разлагается с выделением паров сурьмы и её оксидов.

Электрофизические и оптические свойства

Антимонид индия — узкозонный полупроводник с прямой запрещённой зоной. Ширина запрещённой зоны InSb является наименьшей среди соединений группы AIIIBV.

Параметр Значение
Ширина запрещённой зоны (0 K) 0,24 эВ
Ширина запрещённой зоны (298 K) 0,18 эВ
Подвижность электронов (300 K, нелегированный) ≈ 78 000 см²/(В·с)
Эффективная масса электронов 0,013 m₀
Эффективная масса дырок 0,42 m₀
Диэлектрическая проницаемость (низкочастотная) 17,7
Спектральный диапазон чувствительности 1–5 мкм (средний ИК-диапазон)

Нелегированный антимонид индия обладает самой высокой подвижностью электронов при комнатной температуре (около 78 000 см²/(В·с)) среди всех известных полупроводниковых соединений. Эта величина обусловлена малой эффективной массой электронов проводимости (0,013 m₀). Баллистическая длина свободного пробега электронов достигает 0,7 мкм при 300 K.

Из-за узкой запрещённой зоны уже при температурах ниже комнатной электропроводность InSb становится собственной (т. е. определяется термогенерацией электронно-дырочных пар). По этой причине InSb относится к вырожденным полупроводникам. Энергия ионизации донорных примесей (S, Se, Te) в этом материале чрезвычайно мала.

Химическая стойкость

Антимонид индия не растворяется в воде. В кислотах InSb растворяется хорошо, при этом выделяется токсичный газ стибин (SbH₃). Материал устойчив на воздухе при комнатной температуре. Окисление поверхности заметно проявляется при нагреве выше 500 °C, а при существенном перегреве начинается разложение с выделением паров сурьмы.

Применение антимонида индия

Уникальное сочетание узкой запрещённой зоны, высокой подвижности электронов и чувствительности в среднем ИК-диапазоне (1–5 мкм) определяет широкую область применения InSb в специализированной электронике и оптоэлектронике.

Инфракрасные фотоприёмники на основе InSb

Антимонид индия — один из основных материалов для фотоприёмников среднего ИК-диапазона (3–5 мкм). На его основе выпускаются фотодиоды, фоторезисторы и фотоэлектромагнитные детекторы. Созданы фотоприёмные матрицы с разрешением до 2048 × 2048 пикселей. Детекторы на InSb обладают высокой квантовой эффективностью — внутренняя квантовая эффективность близка к 100 %.

Из-за узости запрещённой зоны для достижения низких шумов детекторы на основе InSb требуют криогенного охлаждения. Рабочая температура, как правило, составляет 77 K (температура кипения жидкого азота). Альтернативными материалами для фотоприёмников этого диапазона являются CdHgTe (кадмий-ртуть-теллур) и PtSi (силицид платины).

Гальваномагнитные приборы и датчики Холла

Высокая подвижность электронов делает антимонид индия оптимальным материалом для датчиков Холла и магниторезисторов. Датчики Холла на основе InSb отличаются высокой чувствительностью к магнитному полю и используются в системах бесконтактного измерения тока, датчиках положения, преобразователях и усилителях электрической мощности.

Туннельные диоды из антимонида индия

InSb применяется для изготовления туннельных диодов. По сравнению с германиевыми аналогами, туннельные диоды из антимонида индия обладают лучшими частотными характеристиками при низких температурах.

Быстродействующие транзисторы

Слоистые гетероструктуры AlInSb/InSb используются для создания транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT), работающих в СВЧ- и миллиметровом диапазонах. Тонкий слой InSb между слоями антимонида алюминия-индия (AlInSb) образует квантовую яму, в которой достигается ещё более высокая подвижность носителей. Биполярные транзисторы на основе InSb, работающие на частотах до 85 ГГц, были реализованы в конце 1990-х годов. Полевые транзисторы, функционирующие на частотах свыше 200 ГГц, созданы позднее. Полупроводниковые приборы из InSb способны работать при напряжении питания менее 0,5 В, что позволяет снизить энергопотребление электронных устройств.

Термоэлектрические устройства и оптические фильтры

Антимонид индия находит применение в термоэлектрических генераторах и термоэлектрических охладителях (элементах Пельтье), а также при изготовлении оптических фильтров для среднего инфракрасного диапазона. Кроме того, InSb является источником терагерцевого излучения благодаря выраженному фото-Дембер эффекту.

Формы поставки антимонида индия

Антимонид индия поставляется в различных формах в зависимости от задач потребителя:

  • Поликристаллический InSb — слитки или куски, используемые в качестве шихты для дальнейшего выращивания монокристаллов или для сплавления.
  • Монокристаллы InSb — нелегированные или легированные (типичные легирующие примеси: Te для n-типа; Ge или Mn для p-типа). Поставляются в виде слитков и пластин (подложек) ориентации (100) или (111), диаметром от 2 дюймов (50,8 мм).
  • Пластины (подложки) InSb — полированные пластины заданной кристаллографической ориентации и толщины для эпитаксиального наращивания и изготовления приборных структур.
  • Порошок InSb — измельчённый материал для исследовательских и специальных технологических задач.

Среди родственных полупроводниковых материалов группы AIIIBV на нашем сайте также представлены арсенид индия (InAs) и фосфид индия (InP) — соединения с аналогичной кристаллической структурой, но иными значениями запрещённой зоны и подвижности носителей.

Сравнение InSb с другими полупроводниками AIIIBV

Для выбора подходящего полупроводникового материала полезно сопоставить ключевые параметры InSb с ближайшими аналогами.

Параметр InSb InAs InP GaAs
Запрещённая зона (300 K), эВ 0,18 0,35 1,35 1,42
Подвижность электронов (300 K), см²/(В·с) 78 000 33 000 5 400 8 500
Постоянная решётки, нм 0,6479 0,6058 0,5869 0,5653
Температура плавления, °C 525 942 1062 1238

Из таблицы видно, что InSb занимает крайнее положение в ряду полупроводников AIIIBV: наименьшая запрещённая зона, наибольшая подвижность электронов, наибольшая постоянная решётки и наименьшая температура плавления.

Особенности работы с антимонидом индия

Требования безопасности при работе с InSb

Сурьма и её соединения токсичны. Основную опасность при работе с антимонидом индия представляет возможность выделения стибина (SbH₃) — чрезвычайно ядовитого газа, образующегося при контакте InSb с кислотами. Стибин относится к веществам I класса опасности.

При механической обработке InSb (резка, полировка, шлифовка) образуется пыль, содержащая соединения сурьмы. Рабочие помещения должны быть оборудованы приточно-вытяжной вентиляцией. Персонал обязан использовать средства индивидуальной защиты: респираторы, защитные очки, перчатки. При высокотемпературной обработке выше 500 °C необходим контроль содержания паров сурьмы и её оксидов в воздухе рабочей зоны.

Упаковка, хранение и транспортировка

Монокристаллы и пластины антимонида индия упаковывают в полиэтиленовую плёнку, помещают в картонные коробки с прокладками из мягких материалов (вата, поролон) для защиты от механических повреждений. Коробки укладывают в деревянные ящики с бумажным настилом. Масса одного грузового места, как правило, не превышает 50 кг. При хранении следует избегать контакта с кислотами и влагой.

Условия поставки антимонида индия

Мы поставляем антимонид индия в виде поликристаллического и монокристаллического материала, пластин и порошка. Конкретные характеристики (тип легирования, ориентация, диаметр, удельное сопротивление) согласуются по запросу. Информацию о наличии, сроках поставки и условиях отгрузки предоставляет менеджер.

Сертификат, паспорт, протокол — на каждую марку

Marker G 4859 · L-Sn60Pb(Sb) · AlCu4TiMg · NiCr29Fe30Mo · B Ni 6002 · S-Sn63Pb37E · GX70Cr29 · X 4 CrNiMoNb 25-7 · SB 862 Grade 13 · AM 60 · SA 815 (S32760) · LM9 · AL-P6082 · АД0Н · Rene 77 · AlSiMg · CP 103