Поликристаллический кремний (мультикристаллический)

   Поликристаллический кремний в исходном виде – сероватые непрозрачные кристаллы. Формируется из высокочистого, практически не имеющего дефектов кристаллического материала. Активность носителей заряда у поликремния достаточно высокая, вследствие чего материал показывает большую стабильность в электрическом поле. Активно используется в промышленной и микроэлектронике. Часто применяется в качестве активных и легированных слоев в тонкопленочных транзисторах. У производителей AMD и Intel поликристаллический кремний является ключевым компонентом интегральных схем и центральных процессоров.

   Получение поликремния возможно при плазменно-химическом выделении из газовой фазы или при трехфазной кристаллизации из амфорного состояния в особых режимах обработки. Эти процессы проходят под действием высоких температур, не менее 300° С. В таких условиях кремний может осаждаться на стеклянные поверхности, но не на пластиковые. Лазерная кристаллизация поликристаллического кремния дала возможность осаждать амфорный кремний без плавления и повреждения пластика.

   Получение поликристаллического кремния может происходить из его соединений (SiCl4, SiHCl3, SiH4) посредством восстановления или теплового разложения. Получение поликристаллического кремния возможно из технического, который хлорируют, получая трихлорсилан (SiHCl3). Он очищается от вторичных продуктов. Далее в реакторе водородного восстановления кремний осаждается на стержни-основы. Некоторые побочные продукты после проходят повторную обработку.