Аноды, графит, сплав, припой — порошок, проволока, прут и др. Москва, Донецкая 34к2 +7 (495) 505-20-82
Просто. Надежно. Быстро.

Дивисмутид рубидия

Цена: договорная
- от объёма, заполните заявку
RUB

Вам нужен дивисмутид рубидия? Укажите нужное количество в заявке!

Дивисмутид рубидияДивисмутид рубидия — это интерметаллическое соединение рубидия и висмута. Внешне оно имеет вид серых кристаллов, структура кристаллической решетки – кубическая сингония.

Химические свойства

Кристаллы не растворяются в воде, не образуют кристаллогидраты, не гигроскопичны (не взаимодействуют с атмосферной влагой и другими атмосферными веществами – углекислым газом, азотом и так далее).  Химическое соединение является неактивным — не взаимодействует с большинством классов веществ (металлы, неметаллы, оксиды и соли), активные реакции происходят только с кислотами и щелочами.

Молярная масса  вещества — 503 г/моль, плотность – 7,5 г/куб. см. Плавятся кристаллы при 850-900°C, расплав кипит при 1100-1150°C, термическое разложение материала происходит при температуре выше 1400°C (вещество разлагается на металлический рубидий и висмута, реакция медленная, поэтому используются катализаторы – неорганические восстановители).

Токсичность

Биологически вещество также является малоактивным и нетоксичным (класс опасности — 4). Хранить химическое соединение можно в любой герметичной таре, перевозить на любом доступном транспорте, работать с веществом можно без специальных средств защиты (перчатки, очки и тому подобное).

Получение

Получают дивисмутид рубидия путем сплавления стехиометрических количеств чистых металлов – рубидия  и висмута. Температура протекания реакции порядка 700-750°C, также нужно обязательно обеспечить инертную атмосферу иначе металлы прореагируют между атмосферным кислородом, а не между собой.

Применение

Химическое соединение применяется в металлургии для изготовления специальных сплавов – механически прочных, не подвергающихся коррозии, имеющих высокую электрическую проводимость. Такие сплавы применяются главным образом в создании электронных устройств.