Поставляем монокристаллические кремневые пластины марки КЭФ/ЭКЭФ и др.

Монокристаллические кремниевые пластины марок КЭФ и ЭКЭФ являются основой для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Качество готовых изделий микроэлектроники напрямую зависит от чистоты материала, отсутствия дефектов кристаллической структуры и точности параметров подложки.

Расшифровка маркировки кремниевых пластин КЭФ

Маркировка пластин монокристаллического кремния содержит буквенно-цифровое обозначение, в котором зашифрованы основные характеристики материала.

Обозначение типа проводимости и легирования

В маркировке КЭФ каждая буква несёт техническое значение:

• К – материал подложки (кремний)
• Э – тип электропроводности (электронный, или n-тип)
• Ф – легирующий элемент (фосфор)

Цифровое обозначение после букв указывает удельное электрическое сопротивление в Ом·см. Например, КЭФ4 означает кремниевую пластину электронного типа проводимости, легированную фосфором, с удельным сопротивлением 4 Ом·см. Для микроэлектроники также широко применяются пластины КДБ – кремний дырочного типа проводимости, легированный бором.

Буква Э в маркировке ЭКЭФ – эпитаксиальный слой

Первая буква Э в маркировке ЭКЭФ указывает, что на монокристаллическую подложку нанесён эпитаксиальный слой кремния. Такие пластины применяются при производстве высокопроизводительных интегральных микросхем и радиационно-стойкой электроники. Преимущество эпитаксиальных структур заключается в формировании p-n перехода между приборным слоем и подложкой, что снижает токи утечки и улучшает электрические характеристики приборов.

Ориентация кристаллографической плоскости

Кристаллографическая ориентация обозначается в круглых скобках числами (100) или (111). Пластины КЭФ (100) имеют плоскость среза, перпендикулярную кристаллографическому направлению [100], а КЭФ (111) – плоскость среза (111). Выбор ориентации зависит от технологических требований конкретного производства полупроводниковых приборов.

Технические характеристики монокристаллических пластин

Удельное электрическое сопротивление

Пластины кремния общего назначения выпускаются 15-ти групп (КЭФ, КДБ, КЭС, КЭМ и др.) с диапазоном удельного электрического сопротивления от 0,005 до 2000 Ом·см. Разброс удельного сопротивления от номинального значения составляет от 7 до 40 процентов в зависимости от группы и подгруппы материала. Контроль этого параметра регламентируется ГОСТ 19658-81 для слитков монокристаллического кремния.

Диаметры и толщины пластин

Стандартные диаметры кремниевых пластин составляют 76, 100, 150, 200 мм. Современные зарубежные производства переходят на диаметры 300 и 400 мм, что позволяет существенно снизить себестоимость готовых микросхем за счёт увеличения количества кристаллов на одной пластине.

Примечание: УЭС – удельное электрическое сопротивление. Приведённые характеристики соответствуют ГОСТ 19658-81 для эпитаксиальных структур группы 21.

Применение пластин КЭФ в микроэлектронике

Производство полупроводниковых приборов

Пластины КЭФ и ЭКЭФ служат подложками для изготовления дискретных полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов, тиристоров) и интегральных микросхем различной степени интеграции. На их поверхности методами планарной технологии – фотолитографии, диффузии легирующих примесей, напыления плёнок – формируются функциональные элементы электронных схем.

Эпитаксиальные структуры ЭКЭФ для радиационно-стойкой электроники

Эпитаксиальные пластины ЭКЭФ используются в производстве радиационно-стойких микросхем и высокочастотных приборов. Эпитаксиальный слой обеспечивает высокую чистоту и контролируемые электрофизические параметры активной области прибора, тогда как подложка выполняет механическую функцию и формирует p-n переход с эпитаксиальным слоем.

Метод Чохральского в производстве монокристаллического кремния

Технология получения слитков

Наиболее распространённым способом изготовления монокристаллических пластин является распил слитков, выращенных методом Чохральского. Этот метод заключается в вытягивании монокристалла из расплава высокочистого поликристаллического кремния (чистота 99,9999% и выше) с использованием затравочного кристалла заданной кристаллографической ориентации. Процесс проводится в вакууме или атмосфере инертного газа для предотвращения окисления расплава.

Очистка подложек методом геттерирования

Наличие дефектов и примесей в подложках ухудшает электрические характеристики и надёжность приборов. Для очистки применяют нанесение геттерирующего слоя на обратную сторону пластины с последующим высокотемпературным отжигом при температуре эпитаксиального наращивания или окисления кремния. Геттерирующий слой захватывает вредные примеси металлов из объёма подложки, улучшая качество материала.

Поставка кремниевых пластин различных марок

Наша компания поставляет монокристаллические кремниевые пластины марок КЭФ, ЭКЭФ, КДБ, КЭС и других модификаций, изготовленные в соответствии с ТУ и ГОСТ 19658-81. Пластины различных диаметров (от 76 до 200 мм) поставляются оптом и мелкими партиями. Цена на пластины кремния формируется индивидуально в зависимости от марки, диаметра, толщины и объёма заказа. Для уточнения наличия и условий поставки свяжитесь с нашими специалистами.